属于米朗德区(Arrondissement de Mirande)。马尔梅姆2009年时的古埃人口为195人。
马尔古埃梅姆()是马尔梅姆法国热尔省的一个市镇, 人口 马尔古埃梅姆人口变化图示 参见 热尔省市镇列表 参考文献 热尔省市镇古埃该市镇总面积17.69平方公里,马尔梅姆

1991年,姚家伟正式跟随父亲学习傩戏,那时这门古老艺术正濒临失传。“我父亲姚克水时常在家小声哼唱,生怕被人听见。”姚家伟回忆道。正是这微弱的声音,点燃了他对傩戏的热爱,也将传承池州傩戏作为自己毕生的使命。
匠心传承,从父亲手中接过傩戏火种
池州傩戏被誉为“戏曲活化石”,保留了宋杂剧、南戏等古老戏曲形态,最初用于民间驱邪纳福、祈求丰收。20世纪60年代,这门古老艺术面临失传危机。
姚家伟出生在傩戏世家,祖辈都是傩戏传承人。在父亲的小声哼唱中,儿时的姚家伟对傩舞傩戏产生了浓厚兴趣。1991年,他正式跟随父亲和其他老艺人学习傩戏。
傩戏表演要求极高,需要通过肢体语言传达情绪,对眼神、身段都有严格标准。学习之初,姚家伟难以领悟技巧,在父亲手把手指导下,他不停地腾挪闪转,磨炼傩舞技艺。傩戏的难点不仅在于动作,更在于唱腔。傩戏唱腔没有曲谱,只有唱本,靠口口相授流传。姚家伟常常捧着剧本背台词到深夜,熟练掌握繁杂冗长的台词。
表演时需要佩戴重逾2斤的木雕面具,固定在脸上,经年累月,姚家伟的脸部都被夹磨破皮。“留存下来的面具都非常珍贵,能佩戴表演已经很难得,每场表演都要尽善尽美。”
为掌握更全面的技艺,姚家伟还练习了傩戏中最难的踩高跷。在反复练习与表演中,他逐渐成长为优秀的傩戏表演者。
抢救整理,让濒临失传的剧目重获新生
为更好地传承傩文化,姚家伟与老一辈共同整理傩戏资料,到各地搜集傩戏唱腔剧本。“那时候听闻哪家有传下来的傩戏剧本,我们就连日去拜访学习。”在他的不懈努力下,《孟姜女》《章文显》《陈州放粮》等许多傩戏被重新挖掘出来。傩戏表演逐渐活跃,从乡土民间走上更高规格的舞台。
2008年2月,姚家伟被文化部命名为国家级非物质文化遗产项目傩戏(池州傩戏)代表性传承人。这是对他多年来努力的最好认可。
培育新苗,让年轻一代接过传承火炬
技艺成熟后,姚家伟思考如何让更多人了解、参与傩戏。从组织人员到傩戏教学,他事无巨细,忙碌不停。
每年正月,他全程参与傩事活动,从前期筹备到演出安排,从台下教学到台上表演,都亲力亲为。多年来,仅正月期间他就表演傩戏300余场。
“姚街村正月傩仪已延续600余年了,每年正月的傩事活动是整个家族最重要的大事。”姚家伟说,“特别是本村的学生们,寒假归来积极投身傩戏练习,我被深深打动。就冲他们这股认真劲,我也要毫无保留地传授所学。”
教学时,姚家伟总是最早到场,将面具、服饰、道具摆放整齐。他先示范整套动作,每一个转身、踏步都力求精准,汗水浸透戏服也毫不懈怠。教“踩罡步”时,见学生记不住复杂舞步,他就用粉笔在地上画出行走路线,自己踩着斑驳的线痕反复走给孩子们看,青石板上渐渐磨出发亮的轨迹。
有学生面具戴歪了,他立刻上前调整系带:“傩面是傩戏的精髓,戴端正了才有威仪。”深夜排练结束后,他总是留下加练的学生,点着灯细说戏文典故。
创新融合,让古老艺术焕发时代生机
为使傩戏更易被大众接受,姚家伟根据传统傩戏剧本《五星会》,新编排了《五星观赏》,充分融合现代元素。他还在《打赤鸟》傩舞表演中创造性改进舞伞动作和唱腔方式,赋予新的时代内涵。
2015年,他应邀参加“中国南昌傩文化艺术周”表演活动,获得“伞舞”金奖和“关公登殿”优秀节目奖。2018年,他远赴法国巴黎参加“原生态意象节”,其表演得到国际友人和文艺界专家的高度肯定。
姚家伟经常组织“送戏进校园”活动,不仅带领团队去往安徽师范大学等高校演出,还深入各乡村学校,让学生们近距离接触傩戏,培养他们对傩戏的兴趣与热情。“牢记使命,一代代延续。这是传承一种精神,一种信仰。”姚家伟说。
他深知队伍年轻化是保护和传承傩戏的关键。这些年来,他以国家级传承人身份在池州市傩戏传习馆教授傩戏,积极参加各类活动宣传傩文化,希望带动更多年轻人走近、了解、传承傩戏。2015年7月,池州市启动非遗“名师带徒”工程,姚家伟作为傩艺培训班老师,参与了6批工程,带出方超、姚新祥等多名徒弟。
夜幕降临,姚街村的傩戏排练场地依然亮着灯。姚家伟抚摸着傩面具上的纹路,仿佛触摸到父亲当年的目光。那些专注与坚守里,流淌着对傩文化的深爱。青石板上发亮的轨迹,不仅是脚步磨出的印记,更是一条连接过去与未来的文化之路。“只要还有人愿意学,我就会一直教下去。”姚家伟说这话时,眼神坚定如初。 (马泽冰)
" width="120" height="100">姚家伟:三十载匠心守护 让千年傩戏焕发新生基于兆易创新GD32H75EYMJ7 MCU打造的机器人GaN关节驱动解决方案,创新性采用GaN氮化镓驱动技术,结合高性能的硬件架构与智能化的控制算法,针对性解决上述行业痛点,实现了驱动性能、控制精度、集成能力与开发效率的全方位突破,为机器人关节驱动提供了高性价比、高可靠性的国产化解决方案。

核心方案性能亮点
本方案以GD32H75EYMJ7为核心控制单元,搭配GaN驱动芯片及高集成度的外围硬件,融合先进的控制算法,打造出兼具高性能与实用性的机器人关节驱动方案,核心优势体现在以下方面:
高速低损GaN驱动:采用专业GaN驱动设计,死区时间低至200ns,PWM开关频率可达 100KHz,相比传统硅基驱动,大幅降低开关损耗,提升能效的同时,让电机运转响应更迅速。
智能精准电机控制:支持电机参数一键整定,三环PID控制增益可自动计算,无需人工繁琐调试,实现对电机的高精度闭环控制,保障机器人关节运动的平稳性与精准度。
高集成硬件接口:方案集成丰富的工业级接口,包含CANFD、RS485/422、双路16bit磁编接口(SPI、多摩川BISS-C),还集成ETherCAT从站+2个百兆PHY,满足工业机器人多协议、高实时性的通信与传感需求。
稳定的电源系统:搭建48V宽压输入的多级电源转换架构,通过SY8502FCC DCDC、GD30LD1002 LDO等器件,实现5V、3.3V、0.9V等多电压精准供电,为核心MCU与外围器件提供稳定的电源保障。
专业的信号采样与处理:配备四路采样电阻,搭配GD30IN240A运放与专用比较器,实现电机电流、电压等关键信号的高精度采集与快速处理,为电机控制提供精准的反馈数据。
多维度调试与开发支持:预留SWD/JTAG调试接口、DEBUG-RS485接口,搭配专属上位机调试软件,同时提供完善的硬件设计资料与软件工程适配包,大幅降低开发与调试成本。
硬件架构与核心设计
本方案采用模块化的硬件设计思路,整体分为驱动板与编码器板两大核心模块,各模块功能划分清晰,接口定义规范,兼顾性能与实用性,核心硬件架构与设计细节如下:
核心控制MCU:GD32H75EYMJ7
作为方案的“大脑”,GD32H75EYMJ7具备高性能的处理能力与丰富的外设资源,可高效完成电机控制算法运算、外设接口管理、数据通信与信号处理等核心任务,为整个关节驱动系统的稳定运行提供算力支撑。

驱动板硬件核心设计
驱动板集成电源输入、功率驱动、通信接口、控制信号处理等全部核心功能,关键设计包含:
电源模块:48V工业级宽压输入,经多级DCDC/LDO转换,输出5V、3.3V、0.9V稳定电压,适配MCU、驱动芯片、传感器等不同器件的供电需求;
功率驱动模块:搭载3路预驱+GaN驱动电路,配合高精度电流采样,实现电机U/V/W三相的高效驱动与状态监测;
通信模块:集成TCAN1044VDRBRQ1 CAN收发器实现CAN FD通信,CA-IF4820HS完成RS485/422通信,同时集成ETherCAT从站与百兆PHY,满足工业现场高实时性、高可靠性的通信要求;
接口模块:预留Motor-U/V/W电机输出接口、48V_IN电源输入接口、Encoder-IN编码器接口、SWD/JTAG调试接口等,接口定义标准化,适配不同应用场景的硬件连接。

编码器板硬件设计
编码器板专为高精度位置检测设计,配备双路16bit磁编接口,支持KTM5910 SPI编码器,可精准采集机器人关节的位置与转速信号,通过SPI0和SPI1接口与驱动板实现高速数据交互,为电机的闭环控制提供精准的位置反馈。

完善的开源配套资料
为降低客户的开发门槛,加快产品落地速度,本方案提供分级开放的完善资料清单,涵盖操作手册、硬件资料、软件工程、调试工具等,资料权限分为开放与NDA两类,满足不同阶段的开发需求:
开放资料(全量公开,快速上手)
GD01关节驱动板快速开始:详细的方案操作与快速上手说明,助力开发者快速完成硬件连接与基础调试;
GD01硬件连接细节说明:精准的关节驱动板硬件接口定义与连接规范,保障硬件对接的准确性;
GD32H75E-GaN_Driver GD01 251126 GD物料:方案核心原理图,清晰展示硬件架构与器件连接;
P1010A_111电机规格书V2.325.4.30:双SPI编码器电机配套规格书,提供电机适配核心参数。
NDA资料(定制化支持,深度开发)
AD-工程GD01:完整的硬件设计AD工程文件,支持客户进行二次硬件开发与定制;
GD32H75E-GaN_Driver GD01:方案生产BOM表,为产品量产提供物料参考;
多款软件工程包:包含双SPI编码器电机、多摩川编码器电机适配软件工程,已完成核心算法与驱动适配,可直接基于此进行二次开发;
servohub_pc_monitor_v2.0.5:关节驱动器专属调试上位机,支持电机参数整定、状态监测、调试优化等核心功能。
方案支持与服务
基于GD32H75E的机器人GaN关节驱动解决方案,凭借高性能、高集成、易开发的特点,可广泛适配工业机器人、协作机器人、服务机器人、AGV移动机器人等各类智能装备的关节驱动单元,无论是多关节机械臂的精准运动控制,还是移动机器人的动力关节驱动,都能提供稳定、高效、精准的驱动支持,同时国产化核心器件的选用,也为客户提供了更安全、可控的供应链保障。
本GD32H75E机器人GaN关节驱动解决方案由好上好信息提供全套技术支持与配套服务,好上好信息(股票简称:好上好,股票代码:001298)在半导体元器件分销与方案开发领域拥有丰富经验,为客户提供从方案设计、硬件开发、软件适配到量产落地的全流程服务,同时在深圳、北京、成都、上海、广州等全国多地设立办事处,可快速响应客户的本地化技术需求,助力客户加快产品研发与量产进度。
" width="120" height="100">基于兆易创新GD32H75EYMJ7 MCU的机器人GaN关节驱动解决方案基于兆易创新GD32H75EYMJ7 MCU打造的机器人GaN关节驱动解决方案,创新性采用GaN氮化镓驱动技术,结合高性能的硬件架构与智能化的控制算法,针对性解决上述行业痛点,实现了驱动性能、控制精度、集成能力与开发效率的全方位突破,为机器人关节驱动提供了高性价比、高可靠性的国产化解决方案。

核心方案性能亮点
本方案以GD32H75EYMJ7为核心控制单元,搭配GaN驱动芯片及高集成度的外围硬件,融合先进的控制算法,打造出兼具高性能与实用性的机器人关节驱动方案,核心优势体现在以下方面:
高速低损GaN驱动:采用专业GaN驱动设计,死区时间低至200ns,PWM开关频率可达 100KHz,相比传统硅基驱动,大幅降低开关损耗,提升能效的同时,让电机运转响应更迅速。
智能精准电机控制:支持电机参数一键整定,三环PID控制增益可自动计算,无需人工繁琐调试,实现对电机的高精度闭环控制,保障机器人关节运动的平稳性与精准度。
高集成硬件接口:方案集成丰富的工业级接口,包含CANFD、RS485/422、双路16bit磁编接口(SPI、多摩川BISS-C),还集成ETherCAT从站+2个百兆PHY,满足工业机器人多协议、高实时性的通信与传感需求。
稳定的电源系统:搭建48V宽压输入的多级电源转换架构,通过SY8502FCC DCDC、GD30LD1002 LDO等器件,实现5V、3.3V、0.9V等多电压精准供电,为核心MCU与外围器件提供稳定的电源保障。
专业的信号采样与处理:配备四路采样电阻,搭配GD30IN240A运放与专用比较器,实现电机电流、电压等关键信号的高精度采集与快速处理,为电机控制提供精准的反馈数据。
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硬件架构与核心设计
本方案采用模块化的硬件设计思路,整体分为驱动板与编码器板两大核心模块,各模块功能划分清晰,接口定义规范,兼顾性能与实用性,核心硬件架构与设计细节如下:
核心控制MCU:GD32H75EYMJ7
作为方案的“大脑”,GD32H75EYMJ7具备高性能的处理能力与丰富的外设资源,可高效完成电机控制算法运算、外设接口管理、数据通信与信号处理等核心任务,为整个关节驱动系统的稳定运行提供算力支撑。

驱动板硬件核心设计
驱动板集成电源输入、功率驱动、通信接口、控制信号处理等全部核心功能,关键设计包含:
电源模块:48V工业级宽压输入,经多级DCDC/LDO转换,输出5V、3.3V、0.9V稳定电压,适配MCU、驱动芯片、传感器等不同器件的供电需求;
功率驱动模块:搭载3路预驱+GaN驱动电路,配合高精度电流采样,实现电机U/V/W三相的高效驱动与状态监测;
通信模块:集成TCAN1044VDRBRQ1 CAN收发器实现CAN FD通信,CA-IF4820HS完成RS485/422通信,同时集成ETherCAT从站与百兆PHY,满足工业现场高实时性、高可靠性的通信要求;
接口模块:预留Motor-U/V/W电机输出接口、48V_IN电源输入接口、Encoder-IN编码器接口、SWD/JTAG调试接口等,接口定义标准化,适配不同应用场景的硬件连接。

编码器板硬件设计
编码器板专为高精度位置检测设计,配备双路16bit磁编接口,支持KTM5910 SPI编码器,可精准采集机器人关节的位置与转速信号,通过SPI0和SPI1接口与驱动板实现高速数据交互,为电机的闭环控制提供精准的位置反馈。

完善的开源配套资料
为降低客户的开发门槛,加快产品落地速度,本方案提供分级开放的完善资料清单,涵盖操作手册、硬件资料、软件工程、调试工具等,资料权限分为开放与NDA两类,满足不同阶段的开发需求:
开放资料(全量公开,快速上手)
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GD01硬件连接细节说明:精准的关节驱动板硬件接口定义与连接规范,保障硬件对接的准确性;
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P1010A_111电机规格书V2.325.4.30:双SPI编码器电机配套规格书,提供电机适配核心参数。
NDA资料(定制化支持,深度开发)
AD-工程GD01:完整的硬件设计AD工程文件,支持客户进行二次硬件开发与定制;
GD32H75E-GaN_Driver GD01:方案生产BOM表,为产品量产提供物料参考;
多款软件工程包:包含双SPI编码器电机、多摩川编码器电机适配软件工程,已完成核心算法与驱动适配,可直接基于此进行二次开发;
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方案支持与服务
基于GD32H75E的机器人GaN关节驱动解决方案,凭借高性能、高集成、易开发的特点,可广泛适配工业机器人、协作机器人、服务机器人、AGV移动机器人等各类智能装备的关节驱动单元,无论是多关节机械臂的精准运动控制,还是移动机器人的动力关节驱动,都能提供稳定、高效、精准的驱动支持,同时国产化核心器件的选用,也为客户提供了更安全、可控的供应链保障。
本GD32H75E机器人GaN关节驱动解决方案由好上好信息提供全套技术支持与配套服务,好上好信息(股票简称:好上好,股票代码:001298)在半导体元器件分销与方案开发领域拥有丰富经验,为客户提供从方案设计、硬件开发、软件适配到量产落地的全流程服务,同时在深圳、北京、成都、上海、广州等全国多地设立办事处,可快速响应客户的本地化技术需求,助力客户加快产品研发与量产进度。
" width="120" height="100">基于兆易创新GD32H75EYMJ7 MCU的机器人GaN关节驱动解决方案在现代ULSI电路中沟道热载流子 (CHC) 诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时,热载流子(动能非常高的载流子)由于原子能级碰撞的冲击电离,可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面,打破Si-H键,增加界面态密度。CHC的影响是器件参数的时间相关的退化,如VT、IDLIN和IDSAT。
这种通道热载流子诱导的退化(也称为HCI或热载流子注入)在NMOS和PMOS器件上都可以看到,并会影响所有区域的器件参数,如VT、亚阈值斜率、Id-on、Id-off、Ig等。每个参数随应力时间的退化速率取决于器件的布局和所使用的工艺。

图1. 通道热载流子退化
CHC退化测试的过程
一个典型的通道热载流子测试过程包括一个被测试器件(DUT)的初始化表征,然后是一个应力和测量循环[1](图2)。在这个循环中,器件承受的电压高于正常工作电压的压力。器件参数包括IDLIN、IDSAT、VT、Gm等,在应力之间进行监测,并将这些参数的退化绘制为累积应力时间的函数。在进行此应力和测量循环之前,将测量同一组器件参数作为基线值。

图2. 典型的CHC测试过程
应力条件是基于最坏情况下的退化条件,这对于NMOS和PMOSFET是不同的。通常,对于漏极电压应力,它应小于源极漏极击穿电压的90%。然后,在漏极应力电压下,栅极应力电压因晶体管类型和栅极长度而不同。表1显示了使用不同技术[2]创建的NMOS和PMOSFET的最坏情况退化条件。

表1. NMOS和PMOS FETs的最坏情况应力条件
使用4200A-SCS半导体表征系统上的ITM可以很容易地确定最坏情况下的应力条件。
器件连接
在单个晶体管上执行CHC测试很容易。然而,每个CHC测试通常需要很长时间才能完成,所以希望有许多dut并行施加压力,然后在应力之间按顺序进行表征,以节省时间。为了实现这一点,需要一个开关矩阵来处理并行应力和应力之间的顺序测量。图3显示了针对多个DUT的典CHC测试的硬件配置。4200A-SCS提供了应力电压和测量能力,而开关矩阵支持并行应力和多个器件的顺序测量。
根据被测试器件的数量,使用可容纳一个矩阵开关(12个器件引脚)的708主机,或者使用最多6个矩阵开关(最多72个引脚)的707主机。不同栅极和漏极应力值的总数受到系统中SMU数量的限制。图4说明了使用8个SMU(总共8个不同的漏极和栅极应力偏差)加上一个接地单元(接地端子)并联20个晶体管对器件进行压力测试的连接图。

图3. 硬件配置连线图

图4. 使用8个SMU并行施加压力20个器件的示例。公共端子使用单独的接地单元(GNDU)。
确定器件参数
被监测的热载流子参数包括VTH、GM、IDLIN和 IDSAT。这些参数在应力之前首先测量,并在每个累积应力时间后重新测量。IDLIN是器件在线性区域测量漏极电流,而IDSAT是器件在饱和区域测量漏极电流。VTH和GM可以用恒流法或内插 / 外插法来确定。在内插 / 外插法中,VTH是由IDS- VDS曲线的最大斜率来确定。
4200A-SCS的公式编辑器工具大大简化了这些参数的提取。内置函数包括微分获得GM,MAX函数获得最大的GM(Gmext),以及最小二乘线拟合函数提取 VTH(Vtext)。计算这些参数的公式可以在4200A-SCS提供的HCI项目中找到,并在测试库中的相应的测试中找到。这些公式的一些例子包括:
GM = DIFF(DRAINI,GATEV)
GMEXT = MAX(GM)
VTEXT = TANFITXINT(GATEV,DRAINI,MAXPOS(GM))
最后一个公式(VTEXT)是ID-VG曲线在最大GM点处的切线拟合的x截距。图5说明了公式编辑器的界面。

图5. 4200A-SCS的公式编辑器界面
一旦这些参数从各个测试中计算出来,它们就可以通过选中“输出值”选项中的复选框来导出,以监测应力时间的退化。对于每个测试,都可以选择退出选项,允许系统跳过该器件,或者在器件出现故障时停止整个CHC测试。有关这些选项的更多详细信息,请参阅完整的4200A-SCS参考手册。
设置应力条件
在4200A-SCS软件的吉时利Clarius版本中增强的功能之一是项目树结构中可以增加一个应力循环,可以施加电压和电流应力。用户可以利用应力循环在预设时间上设置直流应力。每个周期的应力时间可以以线性或对数的方式进行设置(见图6)。该特性用于 CHC/HCI、NBTI、EM(电迁移率)和电荷捕获应用,以提供恒定的直流应力(电压或电流)。在应力 / 测量模式下,用户可以为被测器件的每个终端设置应力条件(图7)。在每个应力周期之后,4200A-SCS经过一个测量序列,其中可以包括任意数量和类型的用户定义的测试和参数提取。这些参数随时间的退化情况被绘制在应力图中。4200A-SCS的“工具包”体系结构为用户在创建测试序列和压力测量方面提供了巨大的灵活性。
对于关键参数,可以设置一个目标退化值(图7)。一旦该参数的退化超过了目标值,特定的测试将停止。通过消除不必要的压力和测量故障器件上的周期,将会节省了大量的时间。

图6. 应力循环设置页面

图7. 器件应力 / 引脚连接 / 退化目标值设置窗口
如果项目中定义了多个DUT,则可以使器件压力设置窗口中的“上一个器件”和“下一个器件”按钮在器件之间进行切换(图7)。“复制”和“粘贴”按钮可以用于将压力设置从一个器件复制到另一个器件中,而不需要在所有输入字段中重新输入所有信息。由于多个器件在不同的应力配置中并行施加应力,因此很难将所需的不同应力的数量和可用于应用它们的SMU的数量联系起来。按下“检查资源”按钮,可以很容易地确定是否有足够的SMU来处理所有涉及的压力,并查看这些SMU是如何分配给每个不同的压力的。如果开关矩阵连接到系统上,并且如果终端上的应力为0V,则默认使用接地单元。
图8a显示了一个单独的数据表(图8a),它可以合并到相应的应力设置窗口中,以保存有关周期指数、应力时间和从应力之间的测量中提取的监测参数的信息,如ID和VT。数据将以Excel文件格式(.xls)自动保存在项目目录中,将数据以文本或Excel文件的形式导出到其他位置。如果系统处于应力 / 测量模式,监测参数相对于预应力测量的退化会自动计算,并可以绘制在图8b中。有关更多压力测量的信息,在Clarius中提供的功能,请查阅完整的4200A-SCS参考手册。

a)

b)
图8. a) 应力数据表存储所有应力信息,包括应力期间的测量结果和应力之间测量的选定参数。b) 退化百分比数据作为应力时间函数的图
建立CHC项目
下面的步骤概述了构建CHC项目的典型过程。有关每个步骤的详细信息,请参考完整的4200A-SCS参考手册。
1. 创建项目结构
a. 确定开关矩阵是否可用
b. 确定是否有足够的SMU可用
c. 构建项目结构
2. 在应力之间建立测试
a. 如果使用了开关矩阵,进行开关连接。
b. 使用(ITMs)构建新的测试
c. 使用公式器工具计算器件参数
d. 在合理条件下设置退出
e. 对于监测退化,导出监测的参数值
f. 重复步骤b到步骤e,以监控更多的参数
3. 如果有多个DUT,则重复步骤2。
4. 在子项目中,设置应力条件。
a. 设置压力时间
b. 设置器件应力条件
i. 应力电压
ii. 引脚连接
iii. 目标退化值
iv. 进入下一个器件
5. 运行项目并检查退化数据
参数退化数据和原始测量数据在项目运行期间自动以Excel文件格式保存。因此,即使项目在完成前就停止了,也已经捕获了测量数据。应力之间的原始I-V曲线可以叠加在应力循环上,所以很容易看到I-V是如何作为应力时间的函数而退化的。图9显示了覆盖21个应力循环后的Vgs-Id曲线。

图9. 多个应力的叠加数据图
图10是一个在晶圆片上测试五个位置的CHC项目的例子。4200A-SCS通过与市场上最常见的半自动探针台兼容的内置驱动程序控制探针台的移动。

图10. 晶圆级CHC测试的范例
结论
Clarius中增强的应力测量循环可以轻松设置CHC测试。结合交互式测试界面、公式工具和强大的图形功能,Clarius使4200A-SCS成为评估器件可靠性参数的理想工具,如CHC诱导的MOSFETs退化,以及它在器件表征中更广为人知的作用。
参考
[1] JEDEC标准28-A,“Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DCStress”,2001。
[2] Vijay Reddy,“An introduction to CMOS semiconductor Reliability”,IRPS教程,2004年。
" width="120" height="100">MOSFET热载流子效应退化测试解析